电子器件真实温度和发射率分布的红外测量

被引:13
作者
朱德忠
顾毓沁
晋宏师
郝军
李红松
机构
[1] 清华大学工程力学系!北京
[2] 北京微电子技术研究所!北京
关键词
红外热成像; 电子器件; 辐射温度; 真实温度; 发射率;
D O I
暂无
中图分类号
TN219 [红外技术的应用];
学科分类号
摘要
用红外热成像系统直接获得的热像图,是被测器件表面辐射温度的分布,并不是真实温度的分布。现介绍一套电子器件热辐射特性测试分析系统,可以方便地测定物体表面的真实温度分布与发射率分布。通过对一系列电子器件的测试,所获得的结果说明该系统是行之有效的,有着很广泛的用途。
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共 2 条
[1]   显微热像测试功率晶体管热性能 [J].
朱德忠,顾毓沁 .
激光与红外, 1996, (02) :134-135
[2]  
特殊条件下的温度测量[M]. 中国计量出版社 , 张立儒编著, 1987