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电子器件真实温度和发射率分布的红外测量
被引:13
作者
:
论文数:
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机构:
朱德忠
顾毓沁
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机构:
清华大学工程力学系!北京
顾毓沁
晋宏师
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机构:
清华大学工程力学系!北京
晋宏师
郝军
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机构:
清华大学工程力学系!北京
郝军
李红松
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机构:
清华大学工程力学系!北京
李红松
机构
:
[1]
清华大学工程力学系!北京
[2]
北京微电子技术研究所!北京
来源
:
红外技术
|
2000年
/ 01期
关键词
:
红外热成像;
电子器件;
辐射温度;
真实温度;
发射率;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN219 [红外技术的应用];
学科分类号
:
摘要
:
用红外热成像系统直接获得的热像图,是被测器件表面辐射温度的分布,并不是真实温度的分布。现介绍一套电子器件热辐射特性测试分析系统,可以方便地测定物体表面的真实温度分布与发射率分布。通过对一系列电子器件的测试,所获得的结果说明该系统是行之有效的,有着很广泛的用途。
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页数:4
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共 2 条
[1]
显微热像测试功率晶体管热性能
[J].
朱德忠,顾毓沁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
清华大学工程力学系
朱德忠,顾毓沁
.
激光与红外,
1996,
(02)
:134
-135
[2]
特殊条件下的温度测量[M]. 中国计量出版社 , 张立儒编著, 1987
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共 2 条
[1]
显微热像测试功率晶体管热性能
[J].
朱德忠,顾毓沁
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机构:
清华大学工程力学系
朱德忠,顾毓沁
.
激光与红外,
1996,
(02)
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