半导体工业中的化学机械抛光(CMP)技术

被引：6

作者：

曹丽梅

胡岳华

徐兢

覃文庆

机构：

[1] 中南工业大学矿物工程系!湖南长沙

来源：

湖北化工 | 2000年 / 04期

关键词：

CMP技术; 半导体工业; SiO2研浆;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305 [半导体器件制造工艺及设备];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

介绍了半导体工业中蓬勃发展的化学机械抛光 (CMP)技术。重点叙述了CMP技术所采用的设备及消耗品 ,CMP过程机理 ,抛光片的检测及影响抛光片质量的因素 ,CMP技术的应用及发展趋势。

引用

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页数：3

共 4 条

[1]

A new planarization technique using a combination of RIE and chemical mechanical polish ( CMP). Davari B,et al. Technical Digest International Electron Devices Meeting . 1989

[2]

Jairath R,et al. Solid State Technology . 1996

[3]

Chemical-mechanicalpolishingforfabri catingpatternedWmetalfeaturesaschipinterconnects. KaufmanFB,ThompsonDB,BroabieRE,JasoMA,GuthrieWL,PearsonDJ,andSmallMB. Jelec trochemsoc . 1 991

[4]

Planarizing interlevel dielectrics by chemical-mechanical polishing. Sivaram S,Bath H,Leggett R,Maury A,Monnig K,and Tolles R. Solid State Technology . 1992

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