背接触硅太阳电池研究进展

被引：10

作者：

任丙彦 ^{[1
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吴鑫 ^{[1
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勾宪芳 ^{[2
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孙秀菊 ^{[1
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于建秀 ^{[1
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褚世君 ^{[1
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励旭东 ^{[2
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机构：

[1] 河北工业大学材料科学与工程学院

[2] 北京市太阳能研究所

来源：

关键词：

背接触; 硅太阳电池; 少子寿命; 接触电极;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM914.4 [太阳能电池];

学科分类号：

080502 ;

摘要：

高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向。背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注。概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其结构特点、制造技术及发展概况作了系统介绍,并在此基础上提出了需要改进的问题及未来的发展方向。

引用

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