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局部放电对聚酰亚胺薄膜分子结构及表面形貌的影响
被引:7
作者
:
张沛红
论文数:
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机构:
哈尔滨理工大学电气与电子工程学院
张沛红
刘岩
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哈尔滨理工大学电气与电子工程学院
刘岩
汪佛池
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机构:
哈尔滨理工大学电气与电子工程学院
汪佛池
范勇
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机构:
哈尔滨理工大学电气与电子工程学院
范勇
雷清泉
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0
机构:
哈尔滨理工大学电气与电子工程学院
雷清泉
机构
:
[1]
哈尔滨理工大学电气与电子工程学院
[2]
哈尔滨理工大学电气与电子工程学院 黑龙江哈尔滨
[3]
黑龙江哈尔滨
来源
:
哈尔滨理工大学学报
|
2004年
/ 01期
基金
:
国家自然科学基金重点项目;
关键词
:
聚酰亚胺薄膜;
局部放电;
形貌;
介电特性;
D O I
:
10.15938/j.jhust.2004.01.017
中图分类号
:
TB383 [特种结构材料];
学科分类号
:
070205 ;
080501 ;
1406 ;
摘要
:
为了研究聚酰亚胺薄膜耐局部放电机理,采用红外光谱分析、原子力显微镜分析、介电谱测量方法,测试了局部放电作用前后普通聚酰亚胺薄膜和无机纳米杂化耐电晕型聚酰亚胺薄膜的分子结构、表面形貌和ε-ω、tanδ-ω特性,得出电晕使普通聚酰亚胺薄膜分子结构及表面形貌发生了改变而耐电晕型薄膜没有明显变化,电晕前后两种薄膜的ε-ω、tanδ-ω特性相同.
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论表面分析及其在材料研究中的应用.[M].黄惠忠等著;.科学技术文献出版社.2002,
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