基于晶闸管开关特性的SVC传导干扰仿真模型

被引：9

作者：

张黎 ^{[1
]}

王伟 ^{[1
]}

李庆民 ^{[1
]}

Siew W H ^{[2
]}

机构：

[1] 山东大学电气工程学院

[2] 英国Strathclyde大学电机系

来源：

高电压技术 | 2008年 / 11期

关键词：

静态无功补偿器; 传导干扰; 晶闸管; 开关特性; 非线性时变电阻; 传递函数;

D O I：

10.13336/j.1003-6520.hve.2008.11.021

中图分类号：

TM743 [模拟与仿真];

学科分类号：

080802 ;

摘要：

为分析和预测由静态无功补偿器(SVC)产生的高频传导电磁干扰,基于晶闸管的动态开关特性,给出了SVC传导干扰仿真的建模方法,它以非线性时变电阻作为晶闸管宏模型的内核,建立含有晶闸管控制电抗器(TCR)支路与晶闸管开关电容器(TSC)支路的SVC仿真模型。模型中晶闸管的动态开关特性由非线性时变电阻阻值的变化来表示。此外,为提高传导干扰预测水平,在仿真模型中还加入了测量传感器的幅频特性校正算法。通过增加一阶导数信息,该校正算法改进了复向量拟合法,以进一步提高拟合精度。SVC传导干扰的仿真结果与现场实测数据相比具有相似性,表明晶闸管的动态开关特性是导致高频传导干扰的主要原因。

引用

页码：2447 / 2452

页数：6

共 9 条

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