磷钼钨杂多酸-L-半胱氨酸自组装膜电极的电化学性质

被引：10

作者：

王升富

杜丹

邹其超

机构：

[1] 湖北大学化学与材料科学学院

[2] 湖北大学化学与材料科学学院武汉　

[3] 武汉　

来源：

物理化学学报 | 2001年 / 12期

关键词：

静电吸附; 自组装膜; 化学修饰电极; 磷钼钨杂多酸; L-半胱氨酸;

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

磷钼钨杂多阴离子通过分子间静电作用吸附在Ｌ－半胱氨酸自组装单分子膜修饰金电极表面．制备了磷钼钨杂多酸－Ｌ－半胱氨酸自组装超分子膜电极，探讨了成膜条件，采用循环伏安（ＣＶ）、计时库仑（ＣＣ）、水平衰减全反射傅立叶变换红外光谱（ＡＴＲ－ＦＴＩＲ）表征了膜的组成及电化学性质．实验发现，该膜电极在１．０ｍｏｌ．Ｌ～（－１）Ｈ２ＳＯ４溶液中，于０．８～－０．２Ｖ（ｖｓＳＣＥ）间ＣＶ扫描出现３对稳定、可逆的氧化还原峰，计时库仑法计算了薄膜内的电子传递系数Ｄ为２．６４×１０～（－７）ｃｍ～２·ｓ～（－１），初步探讨了膜电极的氧化还原性能

引用

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