非晶As2S3半导体薄膜在激光作用下的性能及结构研究

被引：2

作者：

刘启明

干福熹

机构：

[1] 中国科学院上海光学精密机械研究所

来源：

中国激光 | 2002年 / 10期

关键词：

非晶As2S3半导体薄膜; 光致暗化; 光致结晶;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.4 [薄膜的性质];

学科分类号：

摘要：

在激光辐照或退火作用下 ,As2 S3非晶半导体薄膜的光学吸收边出现红移现象 ,并且随着激光功率的增大和辐照时间的延长 ,红移值增大 ,并最后达到饱和。这种红移在先经过退火处理再激光辐照的薄膜中是可逆的。从扫描电镜的形貌图中也可以看出 ,经激光辐照后 ,薄膜表面有晶相出现 ,且随着激光功率的增加 ,晶相出现增多。As2 S3非晶半导体薄膜中光致效应的产生是由于光致结构变化所致 ,对其产生原因 ,进行了机理分析

引用

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