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组合功率开关半导体模型及其参数敏感性分析
被引:2
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
何湘宁
机构
:
[1]
浙江大学
来源
:
电工技术学报
|
1995年
/ 03期
关键词
:
半导体;
模型;
仿真;
晶体管;
晶闸管;
D O I
:
10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.1995.03.015
中图分类号
:
TM564 [各种开关];
学科分类号
:
080801 ;
摘要
:
功率半导体模型是电路和系统仿真的重要部分。本文在回顾一般功率器件模型基础上,详细研究了在通用电路仿真器PSpice中怎样运用组合模型原理建立任一新的功率半导体模型。作为应用组合模型原理的实例,文中给出了组合绝缘门根晶体管模型、组合门极可关断晶闸管模型和组合MOSFET控制晶闸管模型,并和实际器件进行比较。最后讨论了组合模型的有效性。
引用
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页码:72 / 77
页数:6
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