膜纸复合储能电容器的直流局部放电信号分析方法

被引：17

作者：

冉汉政 ^{[1
]}

吴广宁 ^{[1
]}

舒雯 ^{[1
]}

张血琴 ^{[1
]}

于成龙 ^{[2
]}

刘华昌 ^{[2
]}

机构：

[1] 西南交通大学电气学院

[2] 中国工程物理研究院电子工程研究所

来源：

电工技术学报 | 2006年 / 04期

关键词：

直流; 局部放电; 信号分析; 老化;

D O I：

10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.2006.04.010

中图分类号：

TM53 [电容器];

学科分类号：

摘要：

检测系统提取直流局部放电(DCPD)信号后,须进一步处理,从而准确判断缺陷状况。描述直流局部放电信号的基本参数是放电量q及放电发生时刻t,通过对膜纸复合储能电容器进行直流局部放电检测,比较了含有不同人工缺陷的电容器的基于Δt方法的二维统计分布图及指纹谱图;研究了不同寿命阶段储能电容器的q-n曲线。试验结果表明,基于Δt方法的特征谱图能用于区分电容器缺陷类型;不同电容器在老化阶段的q-n曲线变化规律并不一致,说明该曲线难以表征电容器的老化进程。最后,提出采用Δt方法来表征电容器绝缘的老化进程。

引用

页码：46 / 49

页数：4