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硅酸钠法合成高比表面多孔二氧化硅
被引:16
作者
:
刘忠义
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机构:
黑龙江大学化学系
刘忠义
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机构:
王莉玮
王子忱
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机构:
黑龙江大学化学系
王子忱
赵敬哲
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黑龙江大学化学系
赵敬哲
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机构:
杨桦
赵慕愚
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机构:
黑龙江大学化学系
赵慕愚
赵冬梅
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机构:
黑龙江大学化学系
赵冬梅
机构
:
[1]
黑龙江大学化学系
[2]
吉林大学化学系
[3]
秦皇岛药品检验所
来源
:
高等学校化学学报
|
1998年
/ 05期
关键词
:
二氧化硅,高比表面,多孔,合成;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
O613.72 [硅Si];
学科分类号
:
070301 ;
081704 ;
摘要
:
以硅酸钠和盐酸为原料,用化学沉淀法制备高比表面多孔SiO2,并对其性能进行了研究.结果表明,所合成的SiO2比表面积可达1300m2/g以上,具有蜂窝状的微孔,孔径均匀,而且性能稳定.
引用
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页码:105 / 108
页数:4
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