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高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象
被引：22
作者：
施卫
梁振宪
机构：
[1] 西安理工大学应用物理系,西安交通大学电气工程学院
来源：
关键词：
光电导开关;
光激发;
GaAs;
高场畴;
光脉冲;
电磁脉冲;
电场畸变;
载流子浓度;
载流子密度;
载流子雪崩;
光能量;
辐射复合;
超快;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN365,O472.8 [];
学科分类号：
摘要：
本文首次报道了在临界触发条件下观察到的高倍增ＧａＡｓ光电导开关中的光激发畴现象．分析了畴的产生与辐射发光在Ｌｏｃｋ－ｏｎ效应中的作用．指出正是光激发畴的性质与行为决定了ＧａＡｓ光电导开关高倍增工作模式的典型现象和特性．
引用
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