IGBT驱动模块的研究

被引：18

作者：

王学奎

杨旭红

叶建华

钱虹

机构：

[1] 上海电力学院电力与自动化工程学院

来源：

上海电力学院学报 | 2008年 / 03期

关键词：

保护阈值; 软关断; 动作阈值; 双电源;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

介绍了IGBT的驱动特性,对IGBT专用集成驱动芯片EXB841和M57962AL作了比较研究.根据EXB841在应用中存在的问题,提出了一种优化设计电路.并介绍了IGBT与M57962AL两种驱动模块的优缺点.

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页数：4

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