纳米Y-TZP材料烧结过程晶粒生长的分析

被引：22

作者：

李蔚

高濂

归林华

郭景坤

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室!上海

[2] 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷

来源：

无机材料学报 | 2000年 / 03期

关键词：

纳米Y－TZP材料; 烧结; 晶粒生长;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB383 [特种结构材料];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

分析了无压烧结、热压烧结及SPS烧结过程中晶粒生长的行为及表现活化能．结果表明：在1100～1300℃之间，纳米Y-TZP材料在以上几种烧结条件下的晶粒生长行为不同．无压烧结时晶粒生长较慢，而热压烧结和SPS烧结时晶粒生长较快．对晶粒生长的活化能分析可在一定程度上解释以上现象．分析结果显示：无压烧结的表观活化能为281kJ／mol与纳米Y－TZP材料的晶界扩散活化能相近；热压烧结过程中，由于外压对扩散的促进作用，活化能比无压烧结时略有降低；在SPS烧结过程中，由于外加的脉冲电流能使晶粒表面大大活化，所以活化能与无压烧结相比大幅度下降．

引用

页码：536 / 540

页数：5

共 6 条

[1] 醇-水溶液加热法制备纳米ZrO2粉体及相关过程的研究 [J].