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埋沟CCD器件工作状态的设计
被引:6
作者
:
张坤
论文数:
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引用数:
0
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0
机构:
重庆光电技术研究所!重庆
张坤
李仁豪
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机构:
重庆光电技术研究所!重庆
李仁豪
机构
:
[1]
重庆光电技术研究所!重庆
来源
:
半导体光电
|
2000年
/ S1期
关键词
:
埋沟CCD;
工作状态;
设计;
D O I
:
10.16818/j.issn1001-5868.2000.s1.012
中图分类号
:
TN386.5 [电荷耦合器件];
学科分类号
:
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要
:
文章针对埋沟CCD器件的设计 ,详细介绍了CCD的工作状态及器件性能参数的设计考虑。对工作在不同状态的CCD ,着重讨论了其信号容量、低噪声读出、工作速度等参数及其限制。
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页码:49 / 52
页数:4
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