一种高速低耗全摆幅BiCMOS集成施密特触发器

被引：14

作者：

成立

张荣标

李彦旭

董素玲

机构：

[1] 江苏大学电气信息学院

[2] 徐州建筑职业技术学院机电工程系镇江

[3] 镇江

[4] 徐州

来源：

固体电子学研究与进展 | 2003年 / 02期

关键词：

双极互补金属氧化物半导体器件; 施密特触发器; 全摆幅设计; 延时-功耗积; 超大规模集成电路;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN433 [BICMOS（双极-MOS混合）集成电路];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

通过分析国外流行的一种 Bi CMOS集成施密特触发门 ,提出了一种高速、低功耗、全摆幅输出的Bi CMOS施密特触发器。该器件中单、双极型电路优势互补 ,电源电压为 1 .5 V,实现了优于同类产品的全摆幅输出 ,且其开关速度高于同类 CMOS产品的 1 3倍以上 ,因此特别适用于高速数字通信系统中

引用

页码：210 / 213+235 +235

页数：5