电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔

被引：5

作者：

徐少辉

熊祖洪

顾岚岚

柳毅

丁训民

侯晓远

机构：

[1] 复旦大学应用表面物理国家重点实验室

[2] 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海

[3] 上海

来源：

半导体学报 | 2002年 / 03期

关键词：

多孔硅; 微腔; 光致发光;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.12 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6 nm的多孔硅微腔

引用

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