新颖的IGBT SPICE模型及非破坏参数提取和验证(英文)

被引：2

作者：

袁寿财

朱长纯

机构：

[1] 西安交通大学电子与信息学院,西安交通大学电子与信息学院西安,西安

来源：

半导体学报 | 2003年 / 07期

关键词：

绝缘栅双极晶体管; 等效电路; 模拟; SPICE器件模型; 参数提取;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN43 [半导体集成电路（固体电路）];

学科分类号：

摘要：

提出并优化了一种和现有 SPICE软件如 HSPICE完全兼容的 IGBT等效电路模型 .该模型摒弃了双极晶体管的所谓准静态假设而用精确的双极输运理论进行分析 ,更符合 IGBT的实际工作条件 .利用电压控制可变电阻模型等效 IGBT的 n- 外延层的电导调制效应 ,取得了很好的效果 .基于器件的非破坏实测参数以器件物理方程为基础的模型参数提取 ,计算依据正确 ,物理意义明确 .用该模型计算了 IGBT的 I- V特性、开关特性等 ,与实测符合较好 ,误差不超过 8% ,此结果比已报道的同类模型要好 ,且更为简单方便 .

引用

页码：702 / 706

页数：5

共 6 条

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