大功率压接式IGBT器件设计与关键技术

被引：30

作者：

窦泽春 ^{[1
]}

刘国友 ^{[1
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陈俊 ^{[2
]}

黎小林 ^{[2
]}

彭勇殿 ^{[1
]}

李继鲁 ^{[1
]}

机构：

[1] 株洲中车时代电气股份有限公司

[2] 南方电网科学研究院有限责任公司

来源：

大功率变流技术 | 2016年 / 02期

关键词：

压接式IGBT; 绝缘耐压; 压力均衡; 热学设计; 失效短路;

D O I：

10.13889/j.issn.2095-3631.2016.02.005

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

介绍了大功率压接式IGBT相比于传统焊接型器件所具有的技术优势,从器件设计层面分析了器件绝缘耐压失效机理,提出通过提升介质介电强度的方法进行绝缘性能优化的方案;分析了压力分布对器件性能的影响并提出多种解决方案;提出几种热学设计优化思路;针对失效短路问题,分析了其过程机理。最后阐述了银烧结、集成散热、Si C等压接式器件技术发展趋势。

引用

页码：21 / 25+34 +34

页数：6

共 6 条

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