碳纳米管阵列的气相沉积制备及场发射特性

被引：3

作者：

张琦锋

于洁

宋教花

张耿民

张兆祥

薛增泉

吴锦雷

机构：

[1] 北京大学电子学系,北京大学电子学系,北京大学电子学系,北京大学电子学系,北京大学电子学系,北京大学电子学系,北京大学电子学系北京,北京,北京,北京,北京,北京,北京

来源：

物理化学学报 | 2004年 / 04期

基金：

北京市自然科学基金;

关键词：

碳纳米管; 气相沉积; 场发射; 屏蔽效应;

D O I：

暂无

中图分类号：

O613.71 [碳C];

学科分类号：

070301 ; 081704 ;

摘要：

运用酞菁铁热解法气相沉积制备了碳纳米管阵列.所得碳纳米管呈多壁结构.单根碳纳米管的平均直径约为25 nm,长度约4～5μm,且具有很好的准直性.研究了碳纳米管阵列的平面场发射特性,相应的开启电压和阈值电压分别为1.28和2.3 V·μm-1,表明碳纳米管具有很强的场发射能力.利用场发射显微镜观察了碳纳米管阵列的场发射像,发现碳纳米管阵列的场发射主要集中在样品薄膜的边缘部位.这是由于碳纳米管密度过大而产生的屏蔽效应所致.

引用

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