基于IGCT的高压三电平变频器失效机理及保护策略

被引：43

作者：

赵争鸣

张海涛

袁立强

白华

杨志

机构：

[1] 清华大学电机系电力系统国家重点实验室

[2] 清华大学电机系电力系统国家重点实验室北京

来源：

关键词：

高压变频器; 三电平; IGCT; 失效机理; 保护策略;

D O I：

10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.2006.05.001

中图分类号：

TN773 [变频器、混频器];

学科分类号：

080902 ;

摘要：

在分析了三电平变频器拓扑结构特点和IGCT结构特性的基础上,讨论了基于IGCT的高压三电平变频器失效机理及保护策略,提出了针对IGCT的全保护概念。对其安全运行区域进行了详尽的分析,结合实例给出定量的安全区域设计原则和相应的保护措施。

引用

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