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硅基上直流反应磁控溅射沉积优质ZnO薄膜及其性能研究[J]. 李剑光,叶志镇,赵炳辉,袁骏.半导体学报. 1996(11)
直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱
被引：53
作者：
叶志镇
陈汉鸿
刘榕
张昊翔
赵炳辉
机构：
[1] 浙江大学硅材料国家重点实验室!杭州
来源：
关键词：
ZnO薄膜;
磁控溅射;
光致发光光谱;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304.21 [];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶 ,而晶界处存在较大的应力 .Zn O薄膜在 He- Cd激光器激发下有较强的紫外光发射 ,晶界应力引起 Zn O禁带宽度向长波方向移动 ,提高衬底温度有利于降低晶界应力和抑制深能级的绿光发射 .
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页码：1015 / 1018
页数：4
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