一种新型的CMOS集成湿度传感器

被引：15

作者：

顾磊

秦明

黄庆安

机构：

[1] 东南大学MEMS教育部重点实验室,东南大学MEMS教育部重点实验室,东南大学MEMS教育部重点实验室江苏南京,江苏南京,江苏南京

来源：

微纳电子技术 | 2003年 / Z1期

关键词：

湿度传感器; CMOS IC; 集成; MEMS;

D O I：

10.13250/j.cnki.wndz.2003.z1.137

中图分类号：

TP212 [发送器（变换器）、传感器];

学科分类号：

140102 [集成电路设计与设计自动化];

摘要：

利用MEMS技术 ,对一种新型CMOS湿度传感器进行理论分析、模拟以及结果讨论。该湿度传感器采用标准CMOS工艺制造 ,采用梳状铝电极结构、梳状多晶硅加热结构 ,衬底接地 ,感湿介质采用聚酰亚胺 ,利用商业软件Coventor进行模拟绘制出敏感电容与相对湿度的曲线图。接口电路采用开关电容电路 ,输出可测电压信号 ,利用Microsim公司的Pspice模拟电路得到相对湿度与输出电压曲线关系

引用

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