硅基MEMS技术

被引：19

作者：

郝一龙

张立宪

李婷

张大成

机构：

[1] 北京大学微电子学研究所

[2] 北京大学微电子学研究所北京

[3] 北京中国科学院力学研究所非线性力学国家重点实验室(LNM)

[4] 北京

来源：

机械强度 | 2001年 / 04期

关键词：

微电子机械系统; 牺牲层; 体硅工艺; 深刻蚀;

D O I：

10.16579/j.issn.1001.9669.2001.04.027

中图分类号：

TN405 [制造工艺];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

结合MEMS技术的发展历史 ,概括了当今硅基MEMS加工技术的发展方向。指出表面牺牲层技术和体硅加工技术是硅基MEMS加工技术的两条发展主线 ;表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展 ;体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合 ,追求大质量块和低应力以及三维加工。SOI技术是新一代的体硅工艺发展方向 ;标准化加工是MEMS研究的重要手段

引用

页码：523 / 526

页数：4

共 7 条

[1]

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[2]

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[3]

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[4]

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