Al2O3-SiC纳米复合陶瓷中的残余应力分析

被引：11

作者：

王宏志

高濂

郭景坤

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室!上海

来源：

中国科学E辑:技术科学 | 1999年 / 03期

关键词：

纳米复合陶瓷; 残余应力; 氧化铝; X射线;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ174.758.2 [];

学科分类号：

0809 ;

摘要：

用X射线衍射的方法测定了Al2 O3 SiC纳米复合陶瓷的残余应力 .建立模型 ,计算了残余应力 ,并与实验测定结果相吻合 .探讨了纳米复合陶瓷的增韧补强机理

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页数：6

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