无压烧结制备Al2O3/SiC纳米复合陶瓷

被引：2

作者：

蔡舒

彭珍珍

冯杰

鲁枫

机构：

[1] 天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室

[2] 天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室天津大学材料学院

[3] 天津

[4] 天津大学材料学院

来源：

陶瓷科学与艺术 | 2003年 / 05期

关键词：

沉淀包裹法; Al2O3/SiC纳米陶瓷; 无压埋烧;

D O I：

10.13212/j.cnki.csa.2003.05.005

中图分类号：

TQ174.6 [生产过程与设备];

学科分类号：

080706 ;

摘要：

用沉淀法包裹微米级SiC颗粒,通过常压、埋烧制备Al2O3/SiC纳米复合陶瓷。通过XRD、TG和 SEM等分析了煅烧和烧结过程中相组成的变化、烧成收缩和显微结构。结果表明:利用SiC 粉埋烧及碳粉制造还原气氛,含8wt％SiC（平均粒径为5mm）的复合粉末经800℃煅烧、成型,试样于1550℃,2h烧结,可制备Al2O3/SiC纳米复合陶瓷,其相对体积密度达95.2％,在烧结过程中由SiC氧化形成的无定形SiO2及与基质氧化铝反应形成的莫来石前躯体可大大促进烧结。

引用

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