非等温耦合模型下大功率LED特性的研究

被引：4

作者：

王天虎 ^{[1
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]}

王晓东 ^{[1
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徐进良 ^{[1
,3
]}

机构：

[1] 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室

[2] 能源的安全与清洁利用北京市重点实验室

[3] 低品位能源多相流与传热北京市重点实验室

来源：

工程热物理学报 | 2012年 / 33卷 / 04期

基金：

中央高校基本科研业务费专项资金资助;

关键词：

发光二极管; 多量子阱; 内量子效率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

本文建立了发光二极管(LED)芯片的非等温多物理场耦合模型。结果表明,芯片内热源集中在多量子阱(MQWs)区域,且靠近p-GaN的第一个量子阱(QW)内的内热源强度最高;焦耳热和非辐射复合热贡献大,而汤姆逊热和帕尔帖热贡献小,可忽略。等温模型与非等温模型的对比表明,在大电流或低冷却能力条件下,芯片内部与芯片衬底温差显著,等温模型无法准确预测芯片性能,需采用非等温模型。

引用

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