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残余氧对TiN+Si3N4纳米复合薄膜硬度的影响
被引：7
作者：
马大衍
马胜利
徐可为
S.Veprek
机构：
[1] 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,InstituteforChemistryofInorganicMaterials,TechnicalUniversityMunich,Lichten-bergst,D-Garching,Munich,Germany西安,西安,西安
来源：
关键词：
PCVD;
TiN;
Si3N4;
薄膜;
硬度;
氧含量;
D O I：
暂无
中图分类号：
TB43 [薄膜技术];
学科分类号：
080101 [一般力学与力学基础];
摘要：
用直流等离子体增强化学气相沉积设备在不锈钢表面沉积纳米晶TiN和纳米非晶Si3N4复相薄膜.主要研究了氧元素对薄膜硬度的影响.结果表明,薄膜中极其微量的氧含量就会使nc-TiN+a-Si3N4薄膜的硬度大幅降低.薄膜中氧含量小于0.2％(原子分数),薄膜硬度可以达到45-55 GPa,而氧含量升至1％-1.5％后,薄膜硬度降至30 GPa左右.其原因与晶界处形成SiOx相有关.
引用
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页数：4
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