未找到相关数据
GaN——第三代半导体的曙光
被引：293
作者：
梁春广
张冀
机构：
[1] 电子工业部第十三研究所
来源：
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
自从蓝色ＧａＮ／ＧａＩｎＮＬＥＤｓ研制成功之后，氮化物逐渐成为化合物半导体领域中一颗耀眼的新星．简要介绍了ＧａＮ的基本特性．探讨了材料的生长技术，包括衬底的选择和外延方法．最后给出了ＧａＮ基器件，如ＬＥＤｓ、ＬＤｓ、ＦＥＴｓ和探测器等的发展现状，同时描绘了氮化物器件的应用领域和未来的发展前景．
引用
收藏
页数：11
相关论文