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纳米ZnO薄膜制备技术及其特性的研究
被引：5
作者：
林鸿溢，张焱，丁世昌，齐秋群，蒋耘晨
机构：
[1] 北京理工大学电子工程系
来源：
关键词：
薄膜晶体；压电效应；半导体材料／纳米薄膜材料；纳米氧化锌;
D O I：
10.15918/j.tbit1001-0645.1995.02.002
中图分类号：
O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];
学科分类号：
080501 ;
1406 ;
摘要：
利用直流磁控溅射装置淀积ｎｃ－ＺｎＯ薄膜，而以ＳｉＯ２／Ｓｉ，Ａｎ／ＳｉＯ２／Ｓｉ和玻璃为基片．应用磁控溅射技术淀积压电ｎｃ－ＺｎＯ薄膜可以减小电子对ｎｃ－ＺｎＯ薄膜表面的轰击损伤，增加电子与反应粒子的碰撞几率，同时又减小界面应力．实验获得ｎｃ－ＺｎＯ薄膜的晶粒尺寸约为２５ｎｍ．电阻率ρ＞１０９Ω．ｃｍ．晶面族（００２）Ｘ射线衍射峰位置２θ＝３４．４４°，有很好的晶态Ｃ轴取向．
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