离子束辅助沉积制备多晶Al2O3薄膜

被引:3
作者
王晨
杨杰
范玉殿
陶琨
机构
[1] 清华大学材料科学与工程系
[2] 清华大学
[3] 清华大学 北京市
关键词
离子束辅助沉积; 氧化铝; 薄膜;
D O I
暂无
中图分类号
学科分类号
摘要
利用电子枪蒸镀 Al2O3,同时辅以 Ar 离子轰击的离子束辅助沉积方法(IBAD)制备 Al2O3薄膜,并与单纯电子枪蒸镀方法(PVD)制备的薄膜进行了结构和表面形貌的比较。IBAD 法可以得到结构均匀致密的γ-Al2O3晶态薄膜,而 PVD 方法仅能得到非晶态疏松的结构。分析结果表明,薄膜沉积过程中,提高离子轰击能量和增加基片加热温度在一定程度上具有相同的效果。
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[1]  
Ohira S,Iwaki M. Materials Science and Engineering . 1989
[2]  
Ohira S,Iwaki M. Nuclear Instruments and Methods . 1990
[3]  
Musket R G,Brown D W,Pinizzotto R F. Applied Physics Letters . 1986
[4]  
Netterfield R P,Muller K H,Mckenzie D R et al. Journal of Applied Physics . 1988
[5]  
Arnold S M,Cold B E. Thin Solid films . 1988
[6]  
Smit M K,Acket G A,Vander Laan C J. Thin Solid films . 1986
[7]  
Prabhawalkar P D. Radiation Effects Letters . 1986