Mo/Si多层膜残余应力的研究

被引：9

作者：

向鹏

金春水

机构：

[1] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室

[2] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室吉林长春

[3] 吉林长春

来源：

光学精密工程 | 2003年 / 01期

关键词：

极紫外光刻; 多层膜; 残余应力;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.2 [薄膜中的力学效应];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

在极紫外光刻技术中 ,光学系统对多层膜光学元件表面面形精度有严格的要求 ,并且多层膜光学元件需要较高的反射率。由于多层膜中存在的内应力将改变光学元件的表面面形 ,因此在不减少反射率的前提下 ,一定要减少或补偿多层膜内的残余应力。论述了Mo/Si多层膜应力产生的原因和几种减少与补偿应力的技术 ,介绍应力的几种测量方法。

引用

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