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弥散CeO2对高温下α-Al2O3氧化膜初期生长的影响
被引:2
作者
:
马信清,李美栓,彭晓,陈全芳,李铁藩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院金属腐蚀与防护研究所腐蚀与防护国家重点实验室
马信清,李美栓,彭晓,陈全芳,李铁藩
机构
:
[1]
中国科学院金属腐蚀与防护研究所腐蚀与防护国家重点实验室
来源
:
金属学报
|
1995年
/ 21期
关键词
:
弥散氧化物,CeO2,α-Al2O3膜,初期氧化;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];
学科分类号
:
080501 ;
1406 ;
摘要
:
在研究1000及1100℃下含弥散CeO2的NiAl基表面α─Al2O3氧化膜初期生长的微观形貌及化学组成的基础上,分析了弥散氧化物质点对氧化初期表层扩散通量的影响,解析出了氧化物质点对表层元素扩散通量的贡献项,进而研究了氧化温度、弥散氧化物质点的尺寸、含量及分布等因素对弥散氧化物质点促进Al2O3形成的影响,并解释了突出颗粒状生长等实验结果。同时,探讨了弥散氧化物质点促进保护性氧化膜形核和增强氧化膜再生能力的机制。
引用
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页码:399 / 405
页数:7
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大学数学手册[M]. 山东科学技术出版社 , 郭大钧 主编, 1985
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