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外延KTN薄膜的Sol-Gel制备研究
被引：12
作者：
包定华
邝安祥
顾豪爽
王世敏
机构：
[1] 湖北大学物理系
[2] 湖北大学物理系 武汉
[3] 武汉
来源：
关键词：
KTN薄膜;
Sol-Gel法;
外延生长;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
<正> KTa1-xNbxO3（简称KTN）固溶体具有良好的电光特性、非线性光学特性和热释电特性,KTN薄膜在光电子集成电路中有着良好的应用前景,可用于制作空间光调制器或二次谐波产生器件。 人们已进行过KTN单晶和陶瓷方面的工作,KTN晶体生长时存在铌含量的均匀性难以控制而使晶体质量下降性能变差的问题,采用传统的球磨法制备的KTN陶瓷也无法避免
引用
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页码：1470 / 1472
页数：3
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