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ITO导电膜红外发射率理论研究
被引：7
作者：
张维佳
王天民
钟立志
吴小文
崔敏
机构：
[1] 北京航空航天大学理学院
[2] 北京航空航天大学理学院 北京
[3] 北京
来源：
关键词：
红外发射率;
ITO薄膜;
理论计算;
方块电阻;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484.4 [薄膜的性质];
学科分类号：
080501 ;
1406 ;
摘要：
根据红外辐射理论和薄膜光学原理计算了高品质ITO(indiumtinoxide)导电膜的红外发射率,其理论曲线与实测曲线基本符合.并得出方块电阻小于30Ω时,ITO膜在红外波段8—14μm的平均红外发射率理论值小于0.1.实际制备方块电阻小于10Ω的ITO膜具有优良的红外隐身性能.讨论了高品质ITO膜具有低红外发射率的物理机理,并提出了低红外发射率临界方块电阻值,这有利於理论研究和工艺制备红外隐身ITO膜.
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页码：4439 / 4444
页数：6
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