事件相关电位(P3)与记忆功能关系初探

被引：10

作者：

彭斌

李舜伟

汤晓芙

叶健

机构：

[1] 中国医学科学院中国协和医科大学北京协和医院神经科!

来源：

中国神经精神疾病杂志 | 2000年 / 05期

关键词：

记忆功能; 诱发电位;

D O I：

暂无

中图分类号：

R338 [神经生理学];

学科分类号：

0710 ; 071006 ;

摘要：

目的　探讨事件相关电位 (P3)与记忆功能可能存在的关系。方法　对 60名正常人分别检测事件相关电位 (P3) (潜伏期、波幅和临床记忆量表 ,采用Spearman相关性分析软件进行分析。结果　P3的潜伏期 (FZ ,CZ记录点 )与记忆商呈显著性负相关 ,相关系数分别为- 0 .40 4 0和 - 0 .41 35 ,P3的波幅与记忆商相关性无统计学差异。结论　事件相关电位的潜伏期可对记忆功能的评价起一定的作用

引用

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