InGaAsP/InP激光器非平面液相外延生长的研究

被引：1

作者：

罗恩银

赵新民

蔡开清

机构：

[1] 重庆光电技术研究所

[2] 重庆光电技术研究所重庆永川

[3] 重庆永川

[4] 重庆永川

来源：

半导体光电 | 1990年 / 04期

关键词：

液相外延; 晶体生长;

D O I：

10.16818/j.issn1001-5868.1990.04.007

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本文叙述了用于制作 InGaAsP/InP 半导体激光器的非平面液相外延工艺。讨论了各种因素对非平面液相外延生长的影响。在 InP 衬底上和刻有沟槽的 InGa-AsP/InP 外延片上成功地生长出了高质量外延层。用该外延片制作的激光器在室温连续工作条件下典型阈值电流30mA,典型输出功率为10mW。最高激射温度为115℃。

引用

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