稀土元素掺杂的Hf基栅介质材料研究进展

被引：3

作者：

郑晓虎 ^{[1
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黄安平 ^{[1
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杨智超 ^{[1
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肖志松 ^{[1
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王玫 ^{[1
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程国安 ^{[2
]}

机构：

[1] 北京航空航天大学物理系

[2] 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室

来源：

物理学报 | 2011年 / 60卷 / 01期

关键词：

Hf基高k栅介质; 稀土掺杂; 氧空位缺陷; 有效功函数;

D O I：

暂无

中图分类号：

O482 [固体性质];

学科分类号：

070205 ; 0805 ; 080502 ; 0809 ;

摘要：

随着金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)等比缩小到45nm技术节点,具有高介电常数的栅介质材料(高k材料)取代传统的SiO2已经成为必然,然而Hf基高k材料在实际应用中仍然存在许多不足,而稀土元素掺杂在提高Hf基栅介质材料的k值、降低缺陷密度、调整MOSFETs器件的阈值电压等方面表现出明显的优势.本文综述了Hf基高k材料的发展历程,面临的挑战,稀土掺杂对Hf基高k材料性能的调节以及未来研究的趋势.

引用

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