沉积温度对电子束蒸发沉积ZrO2薄膜性质的影响

被引:18
作者
邵淑英
范正修
范瑞瑛
贺洪波
邵建达
机构
[1] 中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研究与发展中心
关键词
薄膜物理学; ZrO2薄膜; 电子束蒸发; 沉积温度;
D O I
暂无
中图分类号
O484.4 [薄膜的性质];
学科分类号
摘要
ZrO2 薄膜样品在不同的沉积温度下用电子束蒸发的方法沉积而成。利用X射线衍射 (XRD)仪和原子力显微镜 (AFM)检测了ZrO2 薄膜的晶体结构和表面形貌 ,发现室温下沉积ZrO2 薄膜样品为非晶结构 ,随着沉积温度升高 ,ZrO2 薄膜出现明显的结晶现象 ,在薄膜中同时存在四方相及单斜相。薄膜表现为自由取向生长 ,晶粒尺寸随沉积温度升高而增大。同时发现薄膜中的残余应力随沉积温度的升高 ,由张应力状态变为压应力状态 ,这一变化主要是薄膜结构变化引起的内应力的作用结果。同时讨论了不同沉积温度对ZrO2 薄膜光学性质的影响。
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薄膜物理学.[M].[]埃克托瓦(Eckertova;L·) 著;五广阳 译.科学出版社.1986,