纳机电探针阵列与压阻式传感器集成技术研究

被引：3

作者：

杨尊先

程保罗

李昕欣

机构：

[1] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,浙江大学信息与电子工程学系,中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海,浙江杭州,上海

来源：

传感器技术 | 2004年 / 01期

关键词：

集成化; 纳米探针; 硅; 纳机电系统;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP212 [发送器（变换器）、传感器];

学科分类号：

140102 [集成电路设计与设计自动化];

摘要：

给出了纳机电探针阵列与压阻式传感器集成一维阵列器件结构及工作原理;通过理论计算得到该结构的一些主要的特性参数,计算结果与ANSYS模拟结果相符合;并运用微纳机械加工技术制造出该器件。该器件将加热电阻器、压阻式传感器和硅基针尖集成于在同一超薄微细悬臂梁,通过楔形开孔的机械切断,避免了加热电阻器高温处的PN结在高温下失去电隔离作用。室温下测得该器件加热电阻器的阻值为500～600Ω,压阻式传感器的力敏电阻器的阻值为6～8kΩ。

引用

页码：73 / 76

页数：4