学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审
立即登录
Ge单晶片的激光标识技术研究
被引:1
作者
:
杨洪星
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
杨洪星
刘晓伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
刘晓伟
机构
:
[1]
中国电子科技集团公司第四十六研究所
来源
:
半导体技术
|
2009年
/ 34卷
/ 07期
关键词
:
锗;
单晶;
激光加工;
激光标识;
打标深度;
红外光学性能;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN249 [激光的应用];
学科分类号
:
0803 ;
080401 ;
080901 ;
摘要
:
Ge材料具有优良的红外光学性能以及抗辐射性能,在航天领域有着广泛的应用。产品的可追溯性一直是困扰Ge单晶抛光片的技术难题。介绍了激光打标机的工作原理,并采用波长为1064nm的光纤型激光打标机在Ge单晶片上制作标识码。研究了激光功率对打标深度的影响,确定了合适的激光打标功率为激光器总功率的20%~50%,同时,对激光标识码的位置进行了分析,确定了合适的激光打标位置,最终成功地在Ge单晶片表面制作了激光标识码,解决了Ge单晶片的可追溯性问题。
引用
收藏
页码:676 / 678
页数:3
相关论文
未找到相关数据
未找到相关数据