Ge单晶片的激光标识技术研究

被引:1
作者
杨洪星
刘晓伟
机构
[1] 中国电子科技集团公司第四十六研究所
关键词
锗; 单晶; 激光加工; 激光标识; 打标深度; 红外光学性能;
D O I
暂无
中图分类号
TN249 [激光的应用];
学科分类号
0803 ; 080401 ; 080901 ;
摘要
Ge材料具有优良的红外光学性能以及抗辐射性能,在航天领域有着广泛的应用。产品的可追溯性一直是困扰Ge单晶抛光片的技术难题。介绍了激光打标机的工作原理,并采用波长为1064nm的光纤型激光打标机在Ge单晶片上制作标识码。研究了激光功率对打标深度的影响,确定了合适的激光打标功率为激光器总功率的20%~50%,同时,对激光标识码的位置进行了分析,确定了合适的激光打标位置,最终成功地在Ge单晶片表面制作了激光标识码,解决了Ge单晶片的可追溯性问题。
引用
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