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IGBT应用中的过流保护
被引:21
作者
:
张平
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机构:
北京有色金属研究院
张平
冯沛
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机构:
北京有色金属研究院
冯沛
机构
:
[1]
北京有色金属研究院
来源
:
电力电子技术
|
1996年
/ 02期
关键词
:
IGBT,驱动电路,过电流保护;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TM588.1 [过流、欠压、逆流保护继电器];
学科分类号
:
摘要
:
分析了应用中IGBT经常损坏的原因,提供了过流保护中的具体参数,并根据作者在实际应用中的体会和经验,对IGBT的质量及驱动过流保护电路设计的合理性提出了自己的看法
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页码:60 / 61
页数:2
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