厚二氧化硅光波导薄膜制备及其特性分析

被引:12
作者
娄丽芳
盛钟延
姚奎鸿
肖丙刚
何赛灵
机构
[1] 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室光及电磁波研究中心,浙江大学现代光学仪器国家重点实验室光及电磁波研究中心,浙江工程学院材料工程中心,浙江大学现代光学仪器国家重点实验室光及电磁波研究中心,浙江大学现代光学仪器国家重点实验室光及电磁波研究中心杭州,杭州,杭州,杭州,杭州
关键词
导波与光纤光学; 平面光波导; 等离子体增强化学气相沉积; 二氧化硅薄膜;
D O I
暂无
中图分类号
O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];
学科分类号
080501 ; 1406 ;
摘要
以硅烷和氧化二氮作为反应气体 ,采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术 ,不使用掺杂 ,在单晶硅衬底上制备了用于平面光波导的二氧化硅薄膜。研究了薄膜折射率和淀积速率与工艺参量之间的关系 ,通过棱镜耦合仪、傅里叶变换红外光谱、原子力显微镜等测试手段 ,分析了薄膜的结构和光学特性。结果表明 ,实验能快速生长厚二氧化硅薄膜 ,薄膜表面平整 ,颗粒度均匀 ,同时薄膜具有折射率精确可控和红外透射性能好的特点 ,非常适合制作光波导器件。
引用
收藏
页码:24 / 28
页数:5
相关论文
共 8 条
[1]  
Effect of RF power on remote-plasma deposited SiO/sub 2/films. Hattangady S V,Alley R G,Fountain G G et al. Journal of Applied Physiology . 1993
[2]  
Techniquesformonolithicintegrationofsilica basedwaveguidedeviceswithoptoelectronics. BazylenkoM,GrossM,GaujaE etal. LasersandElectroOpticsSocietyAnnualMeeting,1998.LEOS′98 . 1998
[3]  
XPS and FTIR study of silicon oxynitride thin films. Viard J,Beche E,Perarnau D et al. Journal of the European Ceramic Society . 1997
[4]  
Techniquesformonolithicintegrationofsilica basedwaveguidedeviceswithoptoelectronics. BazylenkoM,GrossM,GaujaE etal. LasersandElectroOpticsSocietyAnnualMeeting,1998,LEOS′98 . 1998
[5]  
Thick SiOx Ny and SiO2 films obtained by PECVD technique at low temperatures. Alayo M I,Pereyra I,Carreno M N P. Thin Solid films . 1998
[6]  
Effect of power on interface and electrical properties of SiO/sub 2/films produced by plasma-enhanced. Landheer D,Xu D X,Tao Y et al. Journal of Applied Physics . 1995
[7]  
Low-loss fiber-matched low-temperature PECVD waveguides with small-core dimensions for optical communication systems. Hoffmann M,Kopka P,Voges E. IEEE Photonics Technology Letters . 1997
[8]  
Design, tolerance analysis, and fabrication of silicon oxynitride based planar optical waveguides for communication devices. Worhoff K,Lambeck P V,Driessen A. Journal of Lightwave Technology . 1999