测定离子注入单晶损伤与应变的双晶（nv,-nv）排列方法附视频

被引：1

作者：

李润身

H.K.Wagenfeld

J.S.Williams

Stephen Milkins

Andrew Stevenson

机构：

[1] 中国科学院上海冶金研究所

[2] Royal Melbourune Institute of Technology

[3] Australia

[4] CSIRODivision of Material Science and Technology

来源：

关键词：

硅; 离子注入; 双晶衍射; 摇摆曲线; X射线衍射;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

依据双晶摇摆曲线的形成原理,提出了一种高分辨率,高灵敏度的测定离子注入单晶损伤与应变的双晶（nv,—nv）排列方法。考虑到掠入射情形的色散效应,对掠射角的选择进行了讨论。对Ga注入Si单晶样品的测定证实了（nv—nv）排列的优越性,摇摆曲线上得到了未曾见过的细微振荡。

引用

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