籽晶法制备低压ZnO压敏电阻器

被引：5

作者：

章天金

周东祥

龚树萍

姜胜林

机构：

[1] 华中理工大学电子科学与技术系

来源：

关键词：

ZnO陶瓷,籽晶,压敏电阻器;

D O I：

10.14106/j.cnki.1001-2028.1998.04.005

中图分类号：

TN379,TM54 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

研究了ＺｎＯ籽晶粒度、掺入量及其制备方法对压敏电压的影响。实验结果表明：掺入适量粒度合适的籽晶，勿需在高温下长时间烧结，也可制成压敏电压较低，漏电流较小的ＺｎＯ压敏电阻器。

引用

页码：12 / 13+51

页数：3