Alq厚度以及沉积速率对OLED性能的影响

被引：7

作者：

牟强

张麦丽

张方辉

机构：

[1] 陕西科技大学电气与电子工程学院

来源：

液晶与显示 | 2005年 / 06期

关键词：

OLED; Alq3; 厚度; 沉积速率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

以ITO为透明电极,NPB为空穴传输层,Alq3为发光层,制备出ITO/NPB/Alq3/LiF/Al结构的有机电致发光显示器。通过比较Alq3发光层厚度以及沉积速率对OLED的亮度、发光效率的影响,确定了Alq3层的厚度为65nm,沉积速率为0.3nm/s,得到起亮电压为3.01V、发光亮度为12800cd/m2、发光效率达到4.421cd/A的器件,并对其影响因素进行了分析。

引用

页码：508 / 511

页数：4

共 7 条

[1] 双异质型蓝色OLED器件的研究 [J].