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等离子增强型化学气相淀积氮化硅的淀积
被引：2
作者：
唐元洪
机构：
[1] 湖南大学应用物理系
来源：
关键词：
等离子，氮化硅，淀积;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304.055 [];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
等离子增强型化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅是目前器件唯一能在合金化之后低温生长的氮化硅．本文研究了各种波积参数对薄膜性能的影响，提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件，对折射率随生长速率而变化给出了新的解释．
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页数：4
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