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P2O5掺杂对高磁导率MnZn铁氧体性能的影响
被引:9
作者
:
戴煜辉
论文数:
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机构:
电子科技大学微电子与固体电子学院
戴煜辉
尉旭波
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机构:
电子科技大学微电子与固体电子学院
尉旭波
苏桦
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机构:
电子科技大学微电子与固体电子学院
苏桦
张怀武
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机构:
电子科技大学微电子与固体电子学院
张怀武
机构
:
[1]
电子科技大学微电子与固体电子学院
来源
:
磁性材料及器件
|
2005年
/ 02期
关键词
:
MnZn铁氧体;
P2O5掺杂;
起始磁导率;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TM277.1 [];
学科分类号
:
摘要
:
为获得高磁导率MnZn铁氧体材料,研究了P2O5掺杂对MnZn铁氧体微观结构及电磁性能的影响。少量掺杂可使铁氧体晶粒尺寸增大,均匀性改善,起始磁导率提高。但若掺杂过量,晶粒中气孔率增加,起始磁导率下降,损耗也大为增加。在配方为(Zn0.454Mn0.493Fe2+0.053)Fe23+O4的材料中,当P2O5掺杂量为0.10wt%时,起始磁导率可达10345。
引用
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页数:2
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