氮化铝陶瓷的制造及应用

被引:1
作者
崔嵩
黄岸兵
贺相传
机构
[1] 机电部四十三所
关键词
AIN; 热导率; 热力学性质; 直接氮化法; 金属化;
D O I
暂无
中图分类号
学科分类号
摘要
<正> 一、前言微电子学的发展趋势是器件多功能化、小型化。器件的复杂性将导致芯片尺寸增大和集成度提高,亦使芯片的功率耗散增加,片子的散热便成为关键问题之一。通过基片散热是一种有效途径。AlN陶瓷由于具有热导率高、热膨胀系数与硅接近、电性能优良、机械性能好、无毒等特性,被认为是最理想的基片材料,因此备受关注。
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