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氮化铝陶瓷的制造及应用
被引:1
作者
:
崔嵩
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机构:
机电部四十三所
崔嵩
黄岸兵
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机构:
机电部四十三所
黄岸兵
贺相传
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机构:
机电部四十三所
贺相传
机构
:
[1]
机电部四十三所
来源
:
化工新型材料
|
1992年
/ 08期
关键词
:
AIN;
热导率;
热力学性质;
直接氮化法;
金属化;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
<正> 一、前言微电子学的发展趋势是器件多功能化、小型化。器件的复杂性将导致芯片尺寸增大和集成度提高,亦使芯片的功率耗散增加,片子的散热便成为关键问题之一。通过基片散热是一种有效途径。AlN陶瓷由于具有热导率高、热膨胀系数与硅接近、电性能优良、机械性能好、无毒等特性,被认为是最理想的基片材料,因此备受关注。
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页码:33 / 36
页数:4
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