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太阳电池绒面测量与分析
被引:5
作者
:
孙铁囤
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机构:
上海交通大学应用物理系太阳能研究所!上海
孙铁囤
崔容强
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上海交通大学应用物理系太阳能研究所!上海
崔容强
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机构:
王永东
机构
:
[1]
上海交通大学应用物理系太阳能研究所!上海
来源
:
太阳能学报
|
1999年
/ 04期
关键词
:
MOS;
绒面;
C-V特性;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TM914.4 [太阳能电池];
学科分类号
:
摘要
:
通过对MOS结构电容的测量分析,计算出太阳电池表面积的变化,实现对电池绒面制作工艺的控制与分析。实验数据与理论计算结果一致,通过MOS系统的C-V特性测量可进一步对太阳电池的表面和界面特性作更加系统和深入的分析。
引用
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页码:422 / 425
页数:4
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Reactive ion etching asa m ethod fortexturing polycrystalline silicon solar cell. SWinderbaum etal. SolarEnergy Materials and Solar Cells . 1997
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