氧分压对PLD制备ZnO薄膜结构和发光性质的影响

被引：5

作者：

王璟璟 ^{[1
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李清山 ^{[1
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陈达 ^{[1
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孔祥贵 ^{[2
]}

张宁 ^{[1
]}

赵波 ^{[1
]}

郑学刚 ^{[1
]}

机构：

[1] 曲阜师范大学物理工程学院

[2] 中国科学院激发态物理重点实验室

来源：

发光学报 | 2006年 / 05期

关键词：

氧化锌; 脉冲激光沉积; 化学配比; 光致发光; 半峰全宽(FWHM);

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.41 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制备出高度c轴取向的ZnO薄膜。通过X射线衍射(XRD)谱,扫描电镜(SEM)和室温光致发光(PL)光谱的测量,研究了生长气氛压强的改变对薄膜结构和光致发光的影响。实验结果表明,当氧压从10Pa升高到100Pa时ZnO(002)衍射峰的半峰全宽(FWHM)增大。可以认为这是由于较高的氧压下,到达衬底表面的离子动能减小。这样部分离子没有足够的能量迁移到生长较快的(002)面,c轴取向变差,导致(002)衍射峰的强度降低,半峰全宽增大。随着氧压增大,紫外发光强度增强。这可能是氧压变大,薄膜的化学配比升高,说明化学配比对UV发光的影响要大于薄膜微结构的影响。改变氧气压强对薄膜的表面形貌也有较大的影响。

引用

页码：787 / 791

页数：5

共 4 条

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